ইন্টেল, মাইক্রন ঘোষণা উচ্চতর ঘনত্ব ফ্ল্যাশ মেমরি

ইন্টেল এবং মাইক্রন মঙ্গলবার নন ফ্ল্যাশ মেমরি ঘোষণা করেছে, যা ক্যাপচারাল ইলেক্ট্রনিক্সের স্টোরেজ ক্ষমতা বৃদ্ধির সময় মেমরির দ্বারা দখলকৃত স্থান কমাতে সাহায্য করতে পারে।

নতুন মেমোরি ডিভাইসটি প্রতিটি সেল প্রতি তিন বিটের ডেটা মিটমাট করে এবং মোট প্রায় 64 গিগাবাইটের স্টোরেজ ক্ষমতা 8 গিগাবাইট। কোম্পানিগুলি নতুন মেমরিটি তাদের ন্যূনতম ন্যান্য্যান্ড ডিভাইসকে ডেট হিসাবে ডায়াল করে।

প্রতি সেল প্রতি তিনটি বিট সংরক্ষণ করার সামর্থ্য ঐতিহ্যগত ফ্ল্যাশ মেমোরির উপর একটি উন্নতি, যা প্রতি সেল প্রতি এক বা দুই বিট সংরক্ষণ করতে পারে। নতুন প্রযুক্তিটি ছোট ফাঁকা জায়গায় আরও বেশি স্টোরেজকে সহায়তা করবে, কোম্পানিগুলি বলে।

ডিজিটাল ক্যামেরা এবং পোর্টেবল মিডিয়া প্লেয়ারগুলি যেমন ন্যাড ফ্ল্যাশ ব্যবহার করে থাকে, তেমনি আকারের আকার ছোট হয়ে যায়, কোম্পানিগুলি বলে। অগ্রিম এছাড়াও উৎপাদন খরচ হ্রাস প্রতিযোগিতামূলক মূল্য মেমরি প্রদান করতে পারে।

কোম্পানি গ্রাহকদের নমুনা পাঠানো এবং মেমরি বছরের শেষে দ্বারা গণ উত্পাদন হতে আশা করে। ২5-ন্যানোমিটার পদ্ধতি ব্যবহার করে মেমরি তৈরি করা হবে।

ডিভাইসগুলি 'দুই বিট-প্রতি-সেল' NAND ফ্ল্যাশ-এর ​​চেয়ে প্রায় ২0 শতাংশ ছোট, যেমন- মাল্টিলেভেল সেল (এমএলসি) NAND - এটি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে। 25-এনএম প্রক্রিয়া, একই মোট সঞ্চয় ক্ষমতা সঙ্গে, কোম্পানি বলেন।

"হিসাবে আমরা প্রতি বিট সংখ্যা সংখ্যা বৃদ্ধি, আমরা আমাদের খরচ কমাতে এবং আমাদের ক্ষমতা বৃদ্ধি করতে সক্ষম," বলেন কেভিন Kilbuck, পরিচালক মাইক্রনের ব্লগে একটি ভিডিওতে মাইক্রন, ন্যান কৌশলগত বিপণন।

তবে বাড়তি ঘনত্বের সাথে কিছু ট্রেড-এপস আসে।

"পারফরম্যান্স এবং ধৈর্য মাপার পরিমাণ আপনি ন্যাড প্রোগ্রাম করতে পারেন … কিলবাক বলেন।

এই ঘোষণাটি ইন্টেল এবং মাইক্রনের ফেব্রুয়ারির ঘোষণা অনুসরণ করে যে তারা ২5-এনএম প্রক্রিয়া ব্যবহার করে এমএলসি নন্দ ফ্ল্যাশ স্যাম্পল করছে। সেই সময়ে, কোম্পানিগুলি বলেছিল দ্বিতীয় চতুর্থাংশে মেমরি ভর উৎপাদন করবে। 34-এনএম প্রক্রিয়া ব্যবহার করে ইন্টেল বর্তমানে ফ্ল্যাশ মেমরির উপর ভিত্তি করে X25 লাইনের কঠিন-রাষ্ট্রীয় ড্রাইভ অফার করে।